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法條

法規名稱: 半導體製造業空氣污染管制及排放標準 EN
既存製程未能符合第四條排放標準或第五條設置規定者,公私場所應於本標準修正施行後六個月內,檢具空氣污染改善計畫,向直轄市、縣(市)主管機關申請核定改善期限,並應於期限屆滿前完成改善至符合本標準之規定。
前項空氣污染改善計畫至少應包含製程原(物)料、設施或防制設備改善種類、構造、效能、流程、設計圖說、設置經費及進度,且其改善期限不得逾十八個月。
未能於第一項核定改善期限內完成改善者,公私場所得於期限屆滿前一至三個月內,檢具展延說明、規劃及變更改善計畫,向直轄市、縣(市)主管機關申請核准展延改善期限,展延之改善期限不得逾十二個月。但展延改善經直轄市、縣(市)主管機關另予核准改善期限者,不在此限。
半導體製造業空氣污染管制及排放標準 (民國 112 年 05 月 04 日 ) EN
半導體製造業產生之空氣污染物應經密閉集氣系統收集,並應符合下表規定後始得排放:
前項硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸及硫酸等排放之廢氣,因安全之虞而無法證明符合前項標準時,應檢具相關證明文件佐證具備同等處理效果或較優之控制條件,向直轄市、縣(市)主管機關申請替代認可。
依前條規定收集之廢氣,於污染防制設備之廢氣導入處或排放管道排放口應設置流量計及濃度監測器,其設置規定如下:
一、適用本標準之半導體製造業均應設置流量計。
二、揮發性有機物原(物)料年用量大於二十五噸或工廠總排放量大於每小時零點六公斤者,屬既存製程其揮發性有機物排放大於十四ppm或屬新設製程其揮發性有機物排放大於十ppm之排放管道,應設置揮發性有機物濃度監測器證明符合本標準排放削減率。既存製程與新設製程合併設置排放管道者,以新設製程之設置規定認定之。
三、流量計及濃度監測器之有效每季監測率應大於八十%,每年至少以標準檢測方法比測一次,比測時間每次至少二小時,所設置之流量計及濃度監測器所得之結果應以上次比測結果修正之。
未能依前項規定設置流量計及濃度監測器之排放管道,公私場所得提出其他可證明其排放污染物符合前條排放標準規定之替代方案,報請直轄市、縣(市)主管機關同意後,不在此限。