本標準專有名詞及符號定義如下：
一、半導體製造業：指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製造、導線架製造等作業者。
二、積體電路晶圓製造作業（Wafer Fabrication） ：指將各種規格晶圓生產各種用途之晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積（PhysicalVaporDeposition）、化學氣相沈積（ChemicalVaporDeposition）、光阻、微影（Photolithography）、蝕刻（Etching）、擴散、離子植入（Ion Implantation）、氧化與熱處理等製程。
三、積體電路晶圓封裝作業（Wafer Package） ：指將製造完成之各種用途之晶圓生產成為半導體產品之作業，包括經由切割成片狀的晶粒（Dice），再經焊接、電鍍、有機溶劑清洗和酸洗等製程。
四、光阻劑：指實施積體電路晶圓製造之選擇蝕刻時，所需耐酸性之感光劑。
五、光阻製程：指晶圓經過光組劑的塗佈、曝光、顯像，使晶圓上形成各類型電路的製程。
六、揮發性有機物（Volatile Organic Compounds, VOCs）：係指有機化合物成份之總稱。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化物、碳酸鹽、碳酸銨等化合物。
七、密閉排氣系統（Closed Vent System）：係指可將設備或製程設備元件排出或逸散出之空氣污染物，捕集並輸送至污染防制設備，使傳送之氣體不直接與大氣接觸之系統。該系統包括管線及連接裝置。
八、污染防制設備：係指處理廢氣之熱焚化爐、觸媒焚化爐、鍋爐或加熱爐等密閉式焚化設施、冷凝器、吸附裝置、吸收塔、廢氣燃燒塔、生物處理設施或其它經中央主管機關認定者。
九、工廠總排放量：係指同一廠場周界內所有排放管道排放某單一空氣污染物之總和；單位為 kg/hr。
十、污染防制設備削減量及排放削減率之計算公式如下：
（一）污染防制設備削減量= E-E0；單位為 kg/hr。
（二）排放削減率=（E-E0）/E×100％；單位為％。
E： 經密閉排氣系統進入污染防制設備前之氣狀污染物質量流率，單位為kg/hr。
Eo（排放量）：經污染防制設備後逕排大氣之氣狀污染物質量流率，單位為 kg/hr。
十一、潤濕因子：洗滌循環水量／（填充物比表面積×洗滌塔填充段水平截面積），單位為 ㎡/hr。
十二、洗滌循環水量：濕式洗滌設備內部流過填充物之洗滌水體積流量，單位為 m³/hr。
十三、填充物比表面積：濕式洗滌設備之填充物單位體積內所能提供之氣液接觸面積，單位為 ㎡/m³。
十四、洗滌塔填充段水平截面積：濕式洗滌設備內部裝載填充物部份之水平橫截面積，單位為 ㎡ 。
十五、流量計：任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。
十六、每季有效監測率：（每季污染源操作小時數－每季污染源操作期間連續自動監測器失效小時數）／每季污染源操作小時數。