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條文內容

法規名稱: 半導體製造業空氣污染管制及排放標準 EN
法規類別: 行政 > 行政院環境保護署 > 空氣品質保護目
第 2 條
本標準專有名詞及符號定義如下:
一、半導體製造業:指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製
造、導線架製造等作業者。
二、積體電路晶圓製造作業 (Wafer Fabrication) :指將各種規格晶圓
生產各種用途之晶圓之作業,包括經由物理氣相沈積 (Physical Vap
or Deposition) 、化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition)
、光阻、微影 (Photolithography) 、蝕刻 ( Etching) 、擴散、離
子植入 (Ion Implantation) 、氧化與熱處理等製程。
三、積體電路晶圓封裝作業 (Wafer Package) :指將製造完成之各種用
途之晶圓生產成為半導體產品之作業,包括經由切割成片狀的晶粒 (
Dice) ,再經焊接、電鍍、有機溶劑清洗和酸洗等製程。
四、光阻劑:指實施積體電路晶圓製造之選擇蝕刻時,所需耐酸性之感光
劑。
五、光阻製程:指晶圓經過光組劑的塗佈、曝光、顯像,使晶圓上形成各
類型電路的製程。
六、揮發性有機物 (Volatile Organic Compounds, VOCs) :係指有機化
合物成份之總稱。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化
物、碳酸鹽、碳酸銨等化合物。
七、密閉排氣系統 (Closed Vent System) :係指可將設備或製程設備元
件排出或逸散出之空氣污染物,捕集並輸送至污染防制設備,使傳送
之氣體不直接與大氣接觸之系統。該系統包括管線及連接裝置。
八、污染防制設備:係指處理廢氣之熱焚化爐、觸媒焚化爐、鍋爐或加熱
爐等密閉式焚化設施、冷凝器、吸附裝置、吸收塔、廢氣燃燒塔、生
物處理設施或其它經中央主管機關認定者。
九、工廠總排放量:係指同一廠場周界內所有排放管道排放某單一空氣污
染物之總和;單位為 kg/hr。
十、污染防制設備削減量及排放削減率之計算公式如下:
(一) 污染防制設備削減量= E-E0;單位為 kg/hr。
(二) 排放削減率= (E-E0) /E×100%;單位為%。
  E: 經密閉排氣系統進入污染防制設備前之氣狀污染物質量流率,
單位為 kg/hr。
  Eo (排放量) :經污染防制設備後逕排大氣之氣狀污染物質量流率
,單位為 kg/hr。
十一、潤濕因子:洗滌循環水量/ (填充物比表面積×洗滌塔填充段水平
截面積) ,單位為 m2/hr。
十二、洗滌循環水量:濕式洗滌設備內部流過填充物之洗滌水體積流量,
單位為 m3/hr。
十三、填充物比表面積:濕式洗滌設備之填充物單位體積內所能提供之氣
液接觸面積,單位為 m2/m3。
十四、洗滌塔填充段水平截面積:濕式洗滌設備內部裝載填充物部份之水
平橫截面積,單位為 m2 。
十五、流量計:任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。
十六、每季有效監測率: (每季污染源操作小時數-每季污染源操作期間
連續自動監測器失效小時數) /每季污染源操作小時數。