本辦法依促進產業升級條例 (以下簡稱本條例) 第八條第三項規定訂定之
。

新興重要策略性產業屬製造業者，應符合下列要件之一：
一 投資計畫之實收資本額或增加實收資本額，除投資於第五條第一項第
六款綠色技術工業之環保科技材料及資源化產品為新臺幣五千萬元以
上外，應達新臺幣二億元。其全新機器、設備購置金額，除投資於第
五條第一項第六款綠色技術工業之環保科技材料及資源化產品為新臺
幣一千五百萬元以上外，應達新臺幣一億元。
二 公司於投資計畫完成年度及其前、後一年度之三年期間內，研究與發
展支出達新臺幣二千萬元。
三 符合中小企業認定標準規定之公司於投資計畫完成年度及其前、後一
年度之三年期間內，新投資創立者，於該期間內之研究與發展支出占
投資計畫實收資本額之比率，應達百分之十；增資擴充者，於該期間
內之研究與發展支出占投資計畫增加實收資本額之比率，應達百分之
十。

新興重要策略性產業屬技術服務業者，除第五條第一項第八款第十一目智
慧財產技術服務及第十二目研發服務者外，應符合下列要件之一：
一 投資計畫之實收資本額或增加實收資本額新臺幣五千萬元以上。其全
新機器、設備購置金額如下：
(一) 網際網路服務業、高階積體電路設計業、電力系統統包工程服務業
及產品工程服務業，為新臺幣一千五百萬元以上。
(二) 具備網際網路功能之軟體或內容業，其硬體設備及軟體購置金額，
合計為新臺幣七百萬元以上。
(三) 自動化或電子化工程服務業、環境保護工程技術服務業、生物技術
與製藥業技術服務業、提供屬製造業之溫室氣體排放量減量工程技
術服務業、節約能源或利用新及淨潔能源工程技術服務業，為新臺
幣七百萬元以上。
二 公司於投資計畫完成年度及其前、後一年度之三年期間內，研究與發
展支出達新臺幣一千五百萬元。
三 符合中小企業認定標準規定之公司於投資計畫完成年度及其前、後一
年度之三年期間內，新投資創立者，於該期間內之研究與發展支出占
投資計畫實收資本額之比率，除第五條第一項第八款第七目之環境保
護工程技術服務業者，應達百分之十外，應達百分之十五；增資擴充
者，於該期間內之研究與發展支出占投資計畫增加實收資本額之比率
，除第五條第一項第八款第七目之環境保護工程技術服務業者，應達
百分之十外，應達百分之十五。

第二條第一款及前條第一款實收資本額或增加實收資本額，得於核定之投
資計畫期間內分次增資、分次收足。機器、設備或軟體，得於核定之投資
計畫期間內分次購置。
第二條第二款、第三款及前條第二款、第三款所稱研究與發展支出，指稅
捐稽徵機關依公司研究與發展及人才培訓支出適用投資抵減辦法規定核定
之研究與發展支出，及於各該條款所定三年期間內捐贈行政院國家科學技
術發展基金之金額。
前項研究與發展支出，於稅捐稽徵機關尚未核定時，以申報數為準。
第二條第二款、第三款及前條第二款、第三款所稱三年期間，其投資計畫
完成年度之前一年度未滿一年者，自投資計畫完成年度起算三年。但申請
核發核准函年度與投資計畫完成年度為同一年度者，自投資計畫完成年度
之次年度起算三年。

第二條及第三條投資計畫生產之產品或提供之技術服務，其範圍如下：
一 ３Ｃ工業
(一) 資訊硬體工業
1 高階電腦系統及網路資訊終端擷取裝置：內頻 500MHz 以上之可
攜式電腦或精簡型電腦 (Thin Client ) ；內頻 1GHz 以上之桌
上型電腦；伺服器；具二顆 CPU 以上之工作站；網際網路資訊
終端擷取裝置或個人數位助理器 (以具有無線通訊功能者為限)
。
2 光學文字／語音／生物特徵辨識裝置或透明式觸控輸入裝置：屬
光學文字辨識者，辨識率須達百分之九十五；屬觸控輸入裝置者
，精確度須達＋－1％。
3 高容量或可攜式儲存裝置 (含可攜式記憶卡) ：三．五吋以下硬
碟機、三．五吋以下高容量軟碟機 (200 Mbyte 以上) 、矽碟機
或磁碟陣列系統或其控制器。
4 十五吋以上平面彩色監視器 (LCD 或 PDP 為限) 。
5 具影像解壓縮功能之攜帶式簡報系統。
6 智慧 IC 卡或其讀卡設備／系統 (接觸式除外) 。
(二) 通訊工業
1 影像電話。
2 個人無線通訊產品 (呼叫器除外) 。
3 數位式無線用戶交換機。
4 微波通訊系統。
5 數位式傳輸設備 (一般有線數據機及 Layer 2 以下不含光通訊
界面功能之有線區域網路產品除外) 。
6 雷射傳真機、雷射影印機。
(三) 消費電子工業
1 數位視訊、音訊產品：數位電視機、數位視訊接收機、數位隨選
系統、數位式攝錄放影機、光碟或硬碟式錄放影機、數位監視系
統、數位多功能廣播接收機或MP3播放機。
2 平面顯示彩色電視機。
3 投影系統 (含彩色投影電視) 。
4 數位彩色相機 (200 萬像素以上) 或其印製系統。
二 精密電子元件工業
(一) 支援 CPU 內頻 1GHZ 以上之主機板。
(二) MPEG4 以上壓縮、解壓縮裝置 (卡) 。
(三) 噴墨式或雷射式或電子成像頁印表機引擎、印表頭、高感度有機感
光鼓 (1200DPI 以上) 。
(四) 具連網功能之不中斷電力設備。
(五) 傳輸頻率 300MHz 以上之區域網路電纜、複合光纖電纜 (含伸線、
蕊線押出、絞線、被覆、測試) 。
(六) 光碟機機構體、光學讀寫頭。
(七) 可錄式光碟片 (CD-R 除外) 。
(八) 液晶投影系統光學引擎、光閥、偏光轉換器。
(九) 彩色平面顯示裝置 (屬 LCD 或 PDP 者，需具面板前製程) ；17
吋以上短管彩色映像管。
(十) 五吋以上平面顯示裝置用導光板或背光源組件 (以具導光板製造為
限) 、冷陰極螢光燈管 (CCFL) 。
(十一) 平面顯示裝置用導電玻璃、導電塑膠基板、彩色濾光膜、偏光膜
、光學膜、配向膜、補償膜、微薄玻璃板 (僅從事切割、研磨者
除外) 。
(十二) 發光二極體 (LED) 全彩看板顯示器。
(十三) 氮化鎵藍、綠或白光發光二極體 (僅從事封裝者除外) 。
(十四) 高功率雷射二極體 (雷射指示器用者除外) 、DVD 雷射二極體、
面射型雷射二極體 (VCSEL) 。
(十五) 感測元件：瓦斯感測元件、溫度感測元件、影像感測元件、壓力
感測元件、氣體感測元件或加速感測元件。
(十六) 光通訊主被動元件及裝置：
1 光纖預型體、單模光纖、多模光纖、摻鉺光纖、光敏性光纖。
2 光纖放大器、光纖切換器、光纖套管、光纖袖管、光循環器 (
Circul ator) 、光纖光柵。
3 光傳輸發射接收模組。
4 高密度分波長多工器 (16 channel 以上) 。
5 薄膜濾光鏡片 (50 GHZ 以下) 、平面光波導元件 (AWG) 。
(十七) 高階功能性高密度基板及其關鍵組件：高密度基板 (孔徑 6 密
爾以下，線寬 4 密爾以下) 、增層式基板、銅箔積層板 (玻璃
態轉化溫度 Tg 170 ℃以上) 、無鹵型銅箔基層板與增層板之背
膠銅箔及電解銅箔 (每平方英呎重量 1/2 盎司以下)。
(十八) 高頻電子連接器 (400 MHZ 以上)。
(十九) 表面黏著積層電感 (尺寸 0402 以下) 、高功率積層電感 (電流
1A 以上) 。
(二十) 表面黏著積層電容 (尺寸 0402 以下) 、固態晶片型電解電容器
、超高容量電容器 (電容量 0.5F 以上) 、固態電解質、電蝕鋁
箔。
(二十一) 陶瓷壓電變壓器、積層變壓器。
(二十二) 高頻無線通訊主被動元件：電阻、電感、電容等二種或二個以
上複合積體表面黏著元件；表面黏著式石英振盪器、壓控振盪
器；表面聲波濾波器、共振器、介質晶片型濾波器、積層晶片
型濾波器；射頻功率放大器 (RF Power Ampifier) ；數位頻
率合成器；頻率達 800 MHz 以上之鎖相迴路鎖頻器；頻率達
800 MHz 以上之射頻模組；頻率 800 MHz 以上之晶片型天線
；積體化模組元件 (如積體化 DC Converter，Inverter 等高
度 6.75mm 以下之變壓元件) ；多層陶瓷基板元件及模組；雙
工器開關； RF 模組用耦合器；平衡至非平衡轉接器或 SMD
型 ESD、EMI、FU-SE、電流保護元件。
(二十三) 電力電子元件：以 Power MOS FET, Power IC，功率模組，高
頻電力用電容器，高頻磁性元件用之鐵心 (高頻係以 16 KHz
以上) 等元件為限。
(二十四) 半導體材料：
1 晶棒及晶圓、磊晶圓、再生晶圓。
2 積體電路製程用光罩 (0.175 微米以下) 。
3 IC 構裝軟硬基板： BGA 基板、CSP 基板、TCP 基板。
(二十五) 半導體裝置：
1 積體電路製造：製程部分之廢水回收達八成五以上 (其中屬
CMOS 邏輯純數位製程者製造能力達 0.175 微米以下) 。
2 積體電路凸塊製造。
3 先進積體電路封裝： QFP (Fine-Pitch：65μm 以下) ，Fl
ip Chip, MCM CSP,Wafer level Package,3D Package TCP/
COF,BGA,PGA 或凸塊封裝。
4 高階積體電路測試：晶圓級測試或高階測試 (測試機台之測
試能力達頻率 100 MHz 以上、Mix Mode 或 SOC) 。
(二十六) 可充式鋰電池或其正負極材料、隔離膜材料或電解質材料；功
率密度達五百瓦特／公斤以上之鎳氫電池；能量密度達三十五
瓦特小時／公斤 (三小時放電率) 以上之鉛酸電池。
(二十七) 燃料電池或其關鍵零組件、材料或周邊設備：電池組 (Stack
) 、電極、雙極板 (Bipolar Plate) 、高分子膜及溶液 (P-
olymer Membrance and Solution) 、觸媒、儲氫容器 (Hyd-
rogen Storage Container) 、空氣壓縮機、重組器 (Refor-
mer) 、電力調整器 (Power Conditioning Device) 。
(二十八) 液晶顯示器用液晶。
(二十九) 電子級玻璃纖維絲 (細度 45 exT 以下並有抽絲設備者) 、電
子級玻璃纖維布(基重 85 g/m2 以下) 。
(三十) 電波空隙補強器 (Gap Filler) 。
(三十一) 數位視訊或音訊用條件擷取共通界面 (CA/CI) 。
(三十二) 電漿顯示器用印刷網板、光濾波片。
(三十三) 高容量玻璃磁碟基板。
(三十四) 鉭酸鋰或鈮酸鋰之晶棒、晶圓。
(三十五) 發光二極體、雷射二極體磊晶用晶棒、晶圓或光學濾波晶棒、
晶圓。
(三十六) 白光發光二極體照明設備 (光通量需達 50 lm (流明) 以上)
。
三 精密機械設備工業
(一) 半導體製程設備。
(二) 平面顯示器 (LCD、PDP或有機EL) 製程設備。
(三) 印刷電路板製程設備。
(四) 光碟片製程設備。
(五) 電腦控制編織機或電腦控制縫紉機。
(六) 電腦控制精密切削工具機 (加工精度：磨床 1μm 以下，其他 3μ
m 以下) 。
(七) 精密鍛造成形沖床：沖床底座最大變形率 1/30000 以下。
(八) 精密機械零組件、自動化零組件
1 具 CPU 三十二位元以上開放式工業控制器。
2 線性滑軌：移動平行度誤差小於○．○一六公厘／三○○公厘者
。
3 線性馬達。
4 符合ＣＮＳ○級以上精密軸承。
5 離心式空氣壓縮機。
6 渦捲式冷媒壓縮機。
7 伺服、步進、主軸、變頻、交換磁阻式馬達。
8 數位式變頻器或交流伺服驅動系統。
9 精密模具：尺寸精度 3 μm 以下或平均表面粗度 (Ra) 0.5μm
以下。
(九) 車輛運輸系統
1 自行設計開發之汽機車 (經經濟部工業局審定者) ：自行設計開
發之汽車車型或底盤；自行設計開發之機車整車。
2 高比率國產零組件汽車：國產零組件比率百分之八十以上，經經
濟部工業局審定者。
3 電動車輛：電動汽車；複合動力車輛；殘障用電動代步車；高爾
夫球車；自行設計之電動自行車或機車。
4 軌道電聯車。
5 重要精密車輛零組件
(1) 自行車內外變速器：外變 27 速、上鏈機率百分之九十以上、
下鏈機率百分之六十以上及內變速四速以上、傳動效率百分之
九十以上者，或電動式者。
(2) 汽車引擎：國產零件比率百分之六十以上，經經濟部工業局審
定者。
(3) 防鎖死煞車系統。
(4) 安全氣囊系統。
(5) 動力轉向系統。
(6) 自動變速箱。
(7) 電子控制系統。
6 車輛用智慧型運輸系統：須具備全球衛星定位、電子地圖資訊及
車用通訊三項功能。
7 軌道車輛重要次系統：車門系統、煞車系統、懸吊系統、轉向架
總成、動力及電力控制系統或行車安全控制系統。
(十) 電力設備：
1 一六一 KV 以上之電力電纜及接頭。
2 瓦斯絕緣電力設備 (限變壓器、電力電容器、開關設備及斷路器
) 。
3 交換式直流供電設備：以工作頻率在 40 KHz 以上，單機三相效
率在百分之九十以上、單相效率在百分八十五以上，並具有監控
單元及界面者為限。
4 電子式之無熔線斷路器、漏電斷路器及電價表。
5 真空斷路器 VCB (3.3KV 以上) 。
(十一) 精密測試儀器：電子通訊測試儀器、半導體製程量測監控儀器、
光電檢測儀器或微機電系統。
四 航太工業
(一) 飛機及其零組件。
(二) 地面導航通訊及模擬訓練裝備。
(三) 飛機維修與改裝。
五 生醫及特化工業
(一) 醫療保健工業
1 精密醫療儀器：超音波畫像診斷儀 (頻率 3 MHz 以上) 、超音
波骨密度測試儀器、生理監視系統 (具心電圖／呼吸、血壓、血
氧濃度、血紅素、血糖等參數之模組) 、生化分析儀 (具測試全
血、血清、血漿、尿液、脊髓液或唾液之生化成分功能之一者)
、醫療用雷射設備或呼吸治療器。
2 生醫材料及元件：硬組織、軟組織、液態組織、人工器官 (人工
胰臟、人工心臟、人造血管等) 、血液接觸管帶類元件、創傷覆
蓋材、抗組織沾粘材料、生物晶片 (Bio-chip) 、生物感測器 (
Biosensor) 或細胞治療之細胞工程材料及原件。
3 安全注射針筒 (限射針縮入針筒式者為限) 、醫療手套 (乳膠及
聚氯乙烯製者除外) 、鎮痛輸液泵。
4 醫療用防褥瘡氣墊床系統： (Support Surface) -Replacement
Mattress System
(二) 製藥工業
1 原料藥或其中間體：以發酵或化學一貫合成者為限，但 Aspirin
、Aminopyrin、Antipyrine、Thiamine Hcl、Sulfanilamide、
Mercutoch rome、Teracycline Hcl、Phenyl butazone 除外。
2 中藥飲片 (符合 GMP 且具藥典規格者為限) 。
3 製劑：
(1) 西藥製劑：實施 cGMP 者。
(2) 中草藥製劑 (經臨床實驗證明療效者) 。
(3) 生物製劑：蛋白質或胜製劑、血液製劑、人用疫苗、基因製劑
、免疫製劑、細胞治療製劑。
(4) 水產養殖疫苗、動物用組織培養疫苗或其佐劑、材料。
(5) 生物檢驗試劑：以免疫或核酸探針分析法為限。
(6) 農業用微生物殺蟲劑、殺菌劑或生長調節劑。
(三) 特用化學品
1 固定化酵素或細胞。
2 高分子、單體、中間體：
(1) 振／羥乙基振。 (Piperazine ／Hydroxyethyl Piperazine)
(2) 甲基丙烯酸羥乙酯。 (2-Hydroxyethyl Methacrylate)
(3) ５－磺酸鈉間苯二甲酸二乙二酯。 (Sodium sulpho(5-isoph-
thalic acid bis-ethyleneglycolate)
(4) 聚－２－氮乙烯基五圜酮 (Poly －2－Vinylpyrridone) 及其
單體。
(5) 矽系樹脂 (電子灌注封裝 (介電常數 2.5-3【1k Hz)】) ，或
電子保護覆層用) 。
(6) 氟素樹脂。
3 助劑及添加劑：
(1) 食品用：類胡蘿蔔素 (以化學一貫合成之晶體及其所衍生之製
成品) 。
(2) 工業用：
A 金屬鋰、鎂元素及其衍生化合物：鋰、鋰電池用鋰電解質、
鹼金屬烷基化合物及烷基氧化物、氯化鋰、四氯化鋰鋁、烷
基或芳香烴基鎂鹵化物、銫鹽、鋯或鈦金屬粉 (平均顆粒小
於十微米 (10 microns) ) 。
B 1,3 －丙烷磺酸內酯及其衍生物：以原料一貫合成生產者為
限。
C 二甲基二丙烯基氯化銨及其衍生物：以原料一貫合成生產者
為限。
D 觸媒：醋酸銻、光觸媒 (感光波長 480-700 nm ，粒徑 20-
50nm) 。
E 矽烷系偶合劑 (Silane Coupling Agent) 。
4 電子用化學品：
(1) 矽晶圓、積體電路、薄膜電晶體型液晶顯示器 (TFT-LCD) 、
電漿顯示器 (PDP) 等製程用清洗、微影、封裝等特用化學品
：矽晶圓及積體電路用高純度洗淨液、氣體及蝕刻劑 (各金屬
離子含量在 5 ppb 以下且微粒子大於 0.5 nm 者低於或等於
30 顆粒以下者為限) ；薄膜電晶體型液晶顯示器 (TFT-LCD)
及電漿顯示器 (PDP) 用高純度洗淨液、蝕刻劑或剝離劑 (各
金屬離子含量在 1 ppm 以下者為限) ；積體電路及光碟片用
高純度剝離劑 (各金屬離子含量在 100 ppb 以下且微粒子大
於 0.5nm 者低於或等於 30 顆粒以下者為限) ；光阻劑 (符
合下列之一條件者：以Ｘ射線、電子束 (E-beam) 或紫外線波
長 436 nm 以下照射或線寬 3 mil 以下者或以電著方式塗佈
者為限或液晶顯示器用彩色光阻劑) ；研磨液及研磨墊 (晶圓
拋光用或積體電路中氧化層、金屬膜、低介電層研磨用為限)
。積體電路用封裝材料 (以低應力型、低介電值 (dk<3.5) 或
薄型為限) 。積體電路及薄膜電晶體型液晶顯示器 (TFT-LCD)
用顯影劑。積體電路用導電接著劑。有機電激發光顯示器用有
機發光二極體 (OLED、PLED) 發光材料，電子、電洞傳輸材料
、介電材料；晶圓或積體電路用介電材料。
(2) 光碟記錄層用染料或光學化抑制劑(或安定劑)。
(3) 電磁波隔絕防護層 (Electro Magnetic Interference Shield
) ：採選擇性無電解金屬吸附法，使用幾丁聚醣或其他非金屬
吸附介質之聚合膜為限。
5 其他：
(1) 金屬醇鹽、非金屬醇鹽或無機鹽溶膠及凝膠 (Sol-Gel) ：以
金屬醇鹽、非金屬醇鹽或無機鹽為原料一貫製造者，其製成品
紫外線吸收率為九十％以上，紅外線吸收率達六十％以上，透
光率達九十％者為限。
(2) 精碳材料：球狀結晶介相瀝青粉末或膨脹性石墨粉末。
(3) 矽橡膠用交聯劑。
(4) 超微粒顏料：平均粒徑在 100 nm 以下。
(5) 預塗式感光平版：以成卷方式連續塗佈生產者。
(四) 健康食品：具調節血脂、調節血糖、調整腸胃、改善骨質疏鬆、牙
齒保健、調整免疫機能、護肝、抗氧化等功能之經衛生署證明具功
能性健字號食品。
六 綠色技術工業
(一) 環保科技材料：
1 低煙無鹵阻燃劑：指有機磷系或碳系之阻燃劑或去渣劑。
2 日光燈管用之固體汞合金填充物。
3 無鉛焊錫。
4 生物可分解性塑膠製品：可於廢棄物掩埋處理過程中自然分解，
其分解率需達 CNS 國家標準之農業資材、包裝材、衛生器材或
消費性產品。
(二) 資源化產品：資源化建材 (指使用回收國內焚化爐灰渣、污泥或廢
耐火材比率 30% 以上) 、再生玻璃 (指使用回收國內廢複合玻璃
比率 30% 以上) 、再生紡織品及其製品 (指使用回收國內廢棄物
比率 50% 以上) 、熱固性塑橡膠再生製品 (指使用回收國內廢熱
固性塑橡膠比率 20% 以上) 或再生貴金屬材料 (指使用回收國內
廢棄物比率 30% 以上) 。
(三) 環保設備
1 新及淨潔能源設備：太陽能、風力及沼氣等發電系統及其附屬設
備與零組件、氫氧混合燃料產生機或經經濟部能源委員會認定之
高效率太陽能熱水系統及其附屬設備與零組件。
2 節約能源設備：非晶質鐵心變壓器及省能源或智慧型電器設備及
元件 (設備以 Inverter,Fuzzy 或 Neural 方式控制者為限；元
件以省電燈管、燈泡 (電子式球形日光燈、三波長 T8 或 T5 高
頻燈管、3U 燈管及複合金屬燈管) 、電子式安定器、陶瓷變壓
器、陶瓷晶片放電管為限) 。
3 溫室氣體排放量減量或提高能源使用效率設備：二氧化碳生物固
定反應槽或全氟化物減量設備。
4 環保處理設備及材料：
(1) 處理機器設備及零配件：焚化爐、裂解爐及其零組件或焚化爐
用耐火材；資源化再生利用及回收處理設備；廢水氧化處理用
臭氧發生機；紫外線燈管及濕式氧化設備；靜電集塵器之礙子
及高壓整流器。
(2) 偵測檢驗設備：環保生物感測器 (Biosensor) 或氣體濃度感
測器 (Gassensor) 。
(3) 材料及處理劑：超過濾或逆滲透過濾薄膜；廢水處理用生物製
劑、生物載體；廢水、廢氣處理用離子交換樹脂及觸媒；廢棄
物掩埋場滲液阻隔膠布或不透水布；全音域噪音防制材料或鐵
氟龍塗佈之集塵濾布。
七 高級材料工業
(一) 高清淨度特殊合金鋼材料：以具有電渣重熔精煉 (ESR) 或真空電
弧精煉 (VAR) 精煉設備或精密軋延設備或極線 (0.02mm) 抽製設
備等為限。
(二) 鎂合金材料及其製品 (筆記型電腦外殼除外) ：以具有熔煉設備或
擠型設備或鍛造 (Forging) 設備或沖鍛複合 (Press Forging)
設備或壓鑄 (Die Casting) 設備或觸變成型 (Thixomolding) 設
備或觸變鑄造 (Thixocasting) 設備等為限。
(三) 鋁合金軋延材料：以具備熔煉設備或精密軋延設備或熱處理設備或
連續型處理設備者為限。
(四) 鈦合金材料及其製品 (高爾夫球頭鍛製除外) ：以具有真空電弧精
煉 (VAR) 、電子束精煉 (E Beam) 等精煉設備或精密軋延設備或
精密棒材抽製設備或精密鍛造設備或精密鑄造設備或真空熱處理設
備等為限。
(五) 儲氫合金材料
(六) 電子金屬或化合物材料
1 金屬導線：金、鋁或其合金系並限用於電子、封裝等為限。
2 錫球：用於球狀陣列矩陣 (BGA) 封裝或電子產品等為限。
3 鍍靶材料：運用於物理氣相沈積 (PVD) 或化學氣相沈積 (CVD)
製程技術或用於半導體、光碟、平面顯示器 (FPD) 等為限。
(七) 高性能塑橡膠：以由單體一貫聚合者為限。
1 低吸濕性聚醯胺塑膠 (Polyamide) ：吸水率小於 1.0% 為限。
2 聚二甲酸二乙酯 (PEN) 。
3 新世代聚烯烴塑膠 (Metallocene-based Polyolefins) ：液晶
高分子 (LCP) 、對位聚苯乙烯 (sPS) 、新世代聚乙烯 (mPE)
、新世代聚丙烯 (mPP) 或新世代環聚烯 (mCOC) 。
(八) 高級纖維材料：新溶媒纖維素纖維 (纖維強度為 4g/d 以上，並裝
置有抽絲設備者) 、彈性纖維 (彈性伸長五倍以上，並裝置有抽絲
設備者) 、難燃纖維 (LOI 值大於三十之纖維，並裝置有抽絲設備
者) 、高強力纖維 (纖維強度大於 10 g/d ，並裝置有抽絲設備者
) 、多功能高層次不織布 (具有紡粘製程、熔噴製程及熱粘製程者
) 或聚微多孔纖維及其應用產品 (其中透濕防水布之透濕度 (4000
g/m2/day) ，且耐水度達 5000 公釐／水柱) 。
(九) 超導體。
八 技術服務業
(一) 具備網際網路功能 (Internet/Web Enable) 之軟體或內容 (con-
tent) ：
多媒體軟體或網路內容、行業應用軟體 (含內嵌式軟體) 、系統或
工具軟體 (含內嵌式軟體) 或系統整合 (含客製軟體、專業服務、
轉鑰系統) 。適用之公司至少要有十人以上專職大專相關科系畢業
或具三年以上專業經驗之人力。
(二) 網際網路服務：公司至少要有十人以上專職大專相關科系畢業或具
三年以上專業經驗之人力，並從事下列業務之一者。
1 網路撥接或接取服務。
2 網路內容服務。
3 網路應用服務 (提供 CA 憑證服務者以新創設公司為限) 。
(三) 高階積體電路設計：DRAM (設計以製程 0.21 微米以下技術) 、S-
RAM 或 FLASH MEMORY (設計以製程 0.25 微米以下技術) 、Mask
Rom (設計以製程 0.35 微米以下技術) 、Chipset (Pentium 等
級以上) 、ASIC (10 萬 Gate count 以上)、DSP、MCU(8bit 以
上) 、類比 IC、RFIC、MRAM、LCD controller IC 、LCD driver
IC、FRAM、CPU、SOC、EDA 產品、IP 服務或 IP ；且公司至少要
有十人以上專職大專相關科系畢業或具三年以上專業經驗之人力。
(四) 自動化或電子化工程服務：經經濟部工業局審查合格，並登錄之「
自動化或電子化工程服務機構」，且公司至少要有五人以上專職大
專相關科系畢業之人力。
(五) 電力系統統包工程服務：公司至少要有五人以上專職大專相關科系
畢業之人力，並從事規劃、設計、設備安裝、應用測試、監控、施
工、維修等業務。
(六) 產品工程服務：公司至少要有十人以上專職大專相關科系畢業或具
三年以上專業經驗之人力，並從事下列業務之一者。
1 製造業產品之研發、設計及技術移轉等服務業務。
2 屬本辦法產品測試等服務業務。
3 無線、寬頻光纖通訊測試服務。
(七) 環境保護工程技術服務：公司至少要有十人以上專職大專相關科系
畢業或具三年以上專業經驗之人力，並專門從事下列業務之一者。
1 領有環境保護工程業登記執照，從事承攬事業之水污染防治、空
氣污染防治、噪音及振動防治、廢棄物清理、土壤污染防治或環
境監測工程之設備安裝、施工、維護檢修、代操作等業務之一。
2 廢棄物處理：經環保機關或中央工業主管機關許可之廢棄物處理
機構 (包括代營運者) ，且從事事業廢棄物之處理。
(八) 生物技術與製藥業技術服務：從事藥物臨床前實驗、藥物溶離率曲
線比對、臨床試驗、研究、測試服務或生體可用率及生體相等性分
析試驗，並有專職大專相關科系五人以上研發人員之事業。
(九) 提供屬製造業之溫室氣體排放量減量工程技術服務：公司至少要有
十人以上專職大專相關科系畢業或具三年以上專業經驗之人力。
(十) 節約能源或利用新及淨潔能源工程技術服務：以向經濟部能源委員
會申請認定並符合下列各要件者為限。
1 領有能源工程業務相關登記證照，從事冷凍、空調、照明、鍋爐
、工業爐、感應電動機、空氣壓縮機、熱泵、能源自動監控、利
用新及淨潔能源 (包含太陽能、生質與廢棄物能、地熱、海洋能
、風力、水力) 等設備製造、安裝、施工維護、檢測、代操作等
營業種類之一。
2 公司設有節約能源或利用新及淨潔能源專業研究、設計或驗證部
門。
3 從事之業務範圍包含改善能源使用效率或抑低移轉尖峰用電負載
之設備、系統及工程之設計檢測及能源相關軟硬體構建，以及先
進能源技術之研究開發與推廣等服務業務。
4 公司至少要有十人以上專職大專相關科系畢業或具三年以上專業
經驗之人力。
(十一) 智慧財產技術服務：經經濟部專案核准，且公司至少應有十人以
上專職大專相關科系畢業或具備三年相關經驗之人力，並從事下
列服務業務之一者：
1 智慧財產管理服務：包含專利趨勢分析、專利檢索、專利地圖
或專利侵權分析相關業務。
2 智慧財產事業化服務：包含智慧財產行銷仲介、智慧財產鑑價
或智慧財產商品化服務相關業務。
(十二) 研發服務：經經濟部專案核准，且公司至少應有十人以上專職大
專相關科系畢業或具備三年相關經驗之人力，並從事下列服務業
務之一者：
1 提供研究服務：以知識或研究計畫提供各項產業分析研究等相
關服務業務。
2 提供研發技術服務：以知識或技術提供技術預測、投資評估、
研發、設計、實驗、模擬或檢測等相關服務業務。
九 其他經行政院指定之產品或技術服務項目。
前項第九款所列其他經行政院指定之產品或技術服務項目，由經濟部報請
行政院召集相關產業界、政府機關、學術界及研究機構代表定之。
第一項第八款第三目，選擇適用五年免稅者，其免稅範圍包括自行銷售依
其經核准之投資計畫完成之設計所產製之產品所得，第一項第八款第六目
屬本辦法產品之研發、設計服務業務者亦同。

公司申請適用新興重要策略性產業之獎勵，新投資創立者應於公司設立核
准函核發之次日起六個月內、增資擴充者應於增資變更核准函核發之次日
起六個月內，向經濟部工業局申請核發符合新興重要策略性產業核准函。
前項所稱增資變更核准函，於分次增資時，以第一次增資變更核准函為準
。
經濟部工業局於核發第一項核准函時，應副知受理核發完成證明機關、財
政部賦稅署及公司所在地之稅捐稽徵機關。

公司依前條規定申請核發符合新興重要策略性產業核准函時，應檢具投資
計畫書七份；其適用第二條第二款、第三款及第三條第二款、第三款規定
者，需載明公司於投資計畫完成年度及其前、後一年度之三年期間內之研
究與發展經費。
前項投資計畫書格式，由經濟部工業局定之。

經核發符合新興重要策略性產業核准函之公司，應於符合新興重要策略性
產業核准函核發之次日起三年內完成投資計畫，並於完成後檢具相關文件
，依下列規定申請核發完成證明：
一 投資計畫之執行地點位於科學工業園區內之公司，向科學工業園區管
理局為之。
二 投資計畫之執行地點位於加工出口區內之公司，向加工出口區管理處
為之。
三 投資計畫之執行地點位於直轄市內之公司，向當地直轄市政府建設局
為之；位於直轄市以外之公司，向經濟部工業局為之。
四 投資計畫之執行地點跨越第一款、第二款或第三款之區域者，向機器
、設備購置金額較高處之受理機關為之。
前項完成證明之格式，由經濟部工業局定之。
公司申請核發完成證明時，應於完成證明申請書中自行填入適用第二條或
第三條相關款次之規定，經擇定後不得變更。
第一項主管機關於核發完成證明時，應副知財政部賦稅署及公司所在地之
稅捐稽徵機關。

經核發符合新興重要策略性產業核准函之公司，未能於經濟部工業局核發
符合新興重要策略性產業核准函之次日起三年內完成投資計畫，或投資計
畫產品或技術服務項目變更者，應於期限屆滿前向經濟部工業局申請展延
或變更。但全程計畫完成期限不得超過四年。
經濟部工業局於核定計畫展延或產品變更時，應副知受理核發完成證明機
關、財政部賦稅署及公司所在地之稅捐稽徵機關。

公司依第八條規定申請核發完成證明時，應檢附下列文件：
一 設立或資本額變更登記前、後之營利事業登記證影本；投資計畫之機
器、設備安裝地位於科學工業園區或加工出口區內者，為設立或資本
額變更登記之營利事業及工廠登記證影本。
二 符合新興重要策略性產業核准函影本。
三 購置之全新機器、設備清單六份；無購置行為者免附。
四 購置之全新機器、設備配置圖；無購置行為者免附。
五 購置全新機器、設備之統一發票影本、海關進口相關證明文件影本或
會計師查核證明文件；無購置行為者免附。
六 議決該投資計畫第一次增資之股東會或董事會會議紀錄影本；屬新投
資創立者，為發起人會議紀錄影本；無購置行為者免附。
七 募集現金資本之相關證明文件；全數以未分配盈餘轉增資者免附。

經核發符合新興重要策略性產業核准函之公司，於申請完成證明期間內，
經受理核發完成證明機關實地勘查，投資計畫已屬完成，於完成證明尚未
核發前，遭受地震、風災、水災、旱災、蟲災、火災及戰禍等不可抗力災
害者，受理核發完成證明機關仍得依據原完成狀態，核發其完成證明。

公司擇定適用第二條第二款、第三款或第三條第二款、第三款規定，並經
取得完成證明，經管轄稽徵機關查核，未達該款所定研究與發展支出金額
或比率二分之一，其選擇適用五年免稅者，應追繳所免徵之營利事業所得
稅額，其適用股東投資抵減者，應追繳該公司各股東實際適用投資抵減之
稅額。
公司擇定適用第二條第二款、第三款或第三條第二款、第三款規定，並經
取得完成證明，經管轄稽徵機關查核，未達該款所定研究與發展支出金額
或比率，但已達二分之一，其選擇適用五年免稅者，應按不足之比率，追
繳公司所免徵之營利事業所得稅額，其適用股東投資抵減者，應就各股東
實際適用投資抵減之稅額，與按實際研究發展支出之比率計算之可抵減稅
額之差額追繳之。
公司擇定適用第二條第二款、第三款或第三條第二款、第三款規定，並經
取得完成證明，於取得完成證明後，依本條例第十條第二項規定，將其受
免稅獎勵能獨立運作之全套生產或服務設備或應用軟體，轉讓其他事業，
繼續生產原受獎勵產品或提供受獎勵勞務，其轉讓係在第二條或第三條規
定之三年期間內者，該轉讓事業於該三年期間內之研究發展支出，依第十
五條第三項規定換算，未達該款所訂研究與發展支出金額或比率者，應分
別依前二項規定，追繳所免徵之營利事業所得稅額或股東投資抵減稅額。
前三項補繳之稅額，應自各該年度所得稅結算申報期間屆滿之次日起至繳
納日止，依郵政儲金匯業局一年期定期儲金固定利率，按日加計利息，一
併徵收。

第五條之適用範圍有刪除或修正時，公司仍得自刪除或修正生效之當日起
六個月內，向經濟部工業局申請適用本辦法。

公司擇定適用第二條第一款或第三條第一款規定，並經取得完成證明，且
依本條例第十條第二項規定，將其部分受免稅獎勵能獨立運作之全套生產
或服務設備或應用軟體，轉讓其他事業，繼續生產該受獎勵產品或提供受
獎勵勞務者，受讓事業所受讓之生產或服務設備或應用軟體，依轉讓事業
取得該設備之原始成本計算；未達該款所定投資金額者，不得繼續享受轉
讓事業未屆滿之免稅獎勵。
前項轉讓事業於轉讓後剩餘之生產或服務設備或應用軟體，依原始取得成
本計算；未達第二條第一款或第三條第一款規定之投資金額者，終止其未
屆滿之免稅獎勵。

公司擇定適用第二條第二款、第三款或第三條第二款、第三款規定，並經
取得完成證明，且依本條例第十條第二項規定，將其受免稅獎勵能獨立運
作之全套生產或服務設備或應用軟體，轉讓其他事業，繼續生產該受獎勵
產品或提供受獎勵勞務，其轉讓係在第二條及第三條規定之三年期間內者
，受讓事業於受讓後至該期間屆滿止，其研究與發展支出，按受讓設備或
應用軟體之金額比率及持有期間之比率換算；未達該款所定研究與發展支
出金額或比率者，不得繼續享受轉讓事業未屆滿之免稅獎勵。
前項轉讓事業或受讓事業非屬中小企業認定標準規定之公司者，其研究與
發展支出依前項規定核算後，仍應符合第二條第二款或第三條第二款之規
定；未達該款所定研究與發展支出金額或比率者，不得繼續享受轉讓事業
未屆滿之免稅獎勵。
轉讓事業於第二條及第三條規定之三年期間內，其屬轉讓前之研究與發展
支出，加計轉讓後之研究與發展支出按未轉讓設備或應用軟體金額比率換
算之金額或比率；未達該款所定研究與發展支出金額或比率者，應終止其
未屆滿之免稅獎勵。

選擇適用本條例第八條股東投資抵減規定之公司，其依核准之投資計畫所
募集之資金，應以支應該投資計畫所需者為限。

選擇適用本條例第九條免徵營利事業所得稅之公司，其免稅所得之計算方
法，由財政部定之。
擇定適用第二條第二款、第三款或第三條第二款、第三款規定，並經取得
完成證明之公司，選擇適用五年免稅者，其適用免稅年度之研究與發展支
出應占同年度該公司營業收入淨額百分之二；未達百分之二者，其免稅所
得應按前項規定計算之金額，乘以實際研究與發展支出比率除以百分之二
計算之。
九十年十二月三十一日以前，已以研究與發展支出金額或比率申請經核准
適用免徵營利事業所得稅者，其免稅所得計算方式得依前項規定辦理。
第二項之研究與發展支出，應以稅捐稽徵機關依公司研究與發展及人才培
訓支出適用投資抵減辦法規定核定之金額為準。
依第十二條第一項規定，應追繳免徵之營利事業所得稅款之公司，不適用
第二項規定。

本辦法自中華民國九十一年一月一日施行。